| 产品名称 | 半导体激光治疗机 |
|---|---|
| 结构及组成/主要组成成分 | 该产品由主机和治疗头组成。主机包含电源及控制系统、定时器、功率显示。治疗头包含半导体激光器、辅助用LED发光二极管。JLT-MD500A型治疗机为双治疗头，头1为808nm半导体激光管一支及辅助640nm LED发光二极管6支，头2为辅助590nmLED发光二极管和410nm LED发光二极管混合共1470支；JLT-MD500B型治疗机为双治疗头，头1为808nm半导体激光管1支及辅助640nmLED发光二极管6支，头2为808nm半导体激光管1支及辅助640nmLED发光二极管36支。 |
| 适用范围/预期用途 | 在医疗机构中用于痤疮的照射治疗。 |
| 型号规格 | JLT-MD500A、JLT-MD500B |
| 注册证编号 | 国械注准20173091262 |
| 注册人名称 | 武汉金莱特光电子有限公司 |
| 注册人住所 | 武汉东湖新技术开发区理工园四路1号理工大科技园研发基地二期一标段A1号楼栋1-4层02室4层401室、405室 |
| 生产地址 | 武汉东湖新技术开发区光谷大道以南、凤凰中路以西光谷动力节能环保科技企业孵化器（加速器）一期9栋103(委托生产) |
| 备注 | 延续注册产品技术要求未发生变化，沿用原核发的产品技术要求。原注册证编号：国械注准20173241262。受托生产企业：湖北金莱特科技股份有限公司 |
| 批准日期 | 2022-01-20 |
| 有效期至 | 2027-06-26 |
| 变更情况 | 2017-12-25 “注册人住所：武汉市东湖新技术开发区长城园路8号光谷精工科技园B座五楼；生产地址：武汉市东湖新技术开发区长城园路8号光谷精工科技园B座五楼”变更为“注册人住所：武汉市东湖新技术开发区汤逊湖北路以西、滨湖路以北理工大科技园研发基地二期一标段第A1号楼1-2层 ；生产地址：武汉市东湖新技术开发区汤逊湖北路以西、滨湖路以北理工大科技园研发基地二期一标段第A1号楼1-2层 ”。 2022-10-10 “注册人住所:武汉市东湖新技术开发区汤逊湖北路以西、滨湖路以北理工大科技园研发基地二期一标段第A1号楼1-2层; 生产地址:武汉市东湖新技术开发区汤逊湖北路以西、滨湖路以北理工大科技园研发基地二期一标段第A1号楼1-2层”变更为“注册人住所:武汉东湖新技术开发区理工园四路1号理工大科技园研发基地二期一标段A1号楼栋1-4层02室4层401室、405室; 生产地址:武汉东湖新技术开发区光谷大道以南、凤凰中路以西光谷动力节能环保科技企业孵化器（加速器）一期9栋103”。 2023-08-03 生产地址由:武汉东湖新技术开发区光谷大道以南、凤凰中路以西光谷动力节能环保科技企业孵化器（加速器）一期9栋103;生产地址变更为:武汉东湖新技术开发区光谷大道以南、凤凰中路以西光谷动力节能环保科技企业孵化器（加速器）一期9栋103(委托生产) |
| 编码代号2018 | 暂无权限 |
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| 共性问题 | 暂无权限 |
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